中国科学院孙宝权研究员来威廉希尔作学术报告
【发布日期： 2014-10-15】
2014年10月9日下午，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师孙宝权博士应邀来威廉希尔作了题为《利用金刚石对顶砧静水压力研究InAs单量子点光荧光光谱》的学术报告。物理系物理学专业、材料物理专业学生及相关专业老师280余人听取了报告。报告会由物理系副主任额尔敦•朝鲁主持。
报告会上，孙宝权研究员从金刚石对顶砧压力装置及应用、InAs/GaAs量子点生长及光谱特征、单量子点光谱及光子统计测量技术、波长可调谐单光子发射、 Si-APD 检测 1.3 微米单光子发射、调谐量子点激子/双激子束缚能及激子精细结构劈裂等六方面总结了自己近年来在InAs单量子点压力光谱的工作，深入浅出地阐释了相关理论，展示了最新实验成果。报告会结束后，与会师生针对物理学、材料科学等学习和科研工作方面的问题与孙宝权研究员进行了交流。
9日上午，孙宝权研究员还就国家自然科学基金项目（侧重青年基金项目）申报的相关议题向物理系博士、教授作了专题讲座，并就材料物理实验室建设（侧重大型仪器设备）和半导体超晶格国家重点实验室开放课题申请等方面进行了深入交流。（编辑：孙艳敏 审稿：赵建平）
